| 日本語 |
英語 |
備考 |
あ行
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あばらんしぇこうふく
アバランシェ降伏 |
avalanche breakdown |
電子が雪崩的に急増することから名づけられた現象で、ダイオードに逆方向の電圧をかけた際、ある一定の電圧を超えると電子が衝突電離を繰り返すことで大きな電流が流れること。 |
あのーど
アノード |
anode |
陰イオンの流れ込むほうの電極。ダイオードでは陽極、逆はカソード。 |
いちけんしゅつそし
位置検出素子 |
position sensitive detector (PSD) |
PSDに同じ。 |
えるいーでぃー
LED |
LED (Light-Emitting Diode) |
順方向に電圧をかけると、注入された電子とホールがPN接合部付近で再結合するが、このときのバンドギャップに相当するエネルギーが光として放出される。最近では困難とされていた青色ダイオードも実用化され、赤・青・緑の光の三原色がそろい、これらの組み合わせで白色を含む様々な色の光を作ることが可能。発光ダイオードとも。 |
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か行
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かそーど
カソード |
cathode |
陽イオンの流れ込むほうの電極。ダイオードでは陰極。逆はアノード。 |
かへんようりょうだいおーど
可変容量ダイオード |
variable capacitance diode |
電圧を逆方向にかけた場合、その印加電圧によって空乏層の幅が変化することを利用し、コンデンサの働きをするダイオード。機械的な部分がないため信頼性が高い。バリキャップ、バラクタとも。 |
ぎゃくかいふくじかん
逆回復時間 |
reverse recovery time |
順バイアスが与えられているオン状態で、逆バイアスが与えられても少数キャリア蓄積効果によって、一時的に逆方向に電流が流れることがあるが、この逆流が可能な時間をこう呼ぶ。 |
ぎゃくほうこうばいあす
逆方向バイアス |
reverse bias |
ダイオードのアノード側に負電圧、カソード側に正電圧を印加することで、言い換えれば、N 型半導体にホール、P型半導体に電子を供給すること。これにより、それぞれの半導体における多数キャリアは、ホールがマイナス側、電子がプラス側に引き付けられるので、結合部とは逆の方向に進み、半導体の中のキャリアがなくなり、電流が流れなくなる。逆バイアスとも。 |
ぎゃくたいあつ
逆耐圧 |
reverse voltage |
ダイオードに逆方向バイアス電圧を増加させると少数キャリアによる電流が急激に増加し、熱が発生し PN 接合を破損してしまうため、これを防ぐために定められた限度。 |
きゃりあ
キャリア |
(charge) carrier |
電気の「運び屋」ということから、半導体中における伝導電子とホールを合わせてこう呼ぶ。電荷粒子、電荷担体、電荷キャリアとも。 |
くうぼうそう
空乏層 |
depletion layer |
半導体の PN 接合などにおいて、電子とホールが結合して消滅し、キャリアが存在しない電気的に絶縁された領域のこと。欠乏層とも。 |
こうふくでんあつ
降伏電圧 |
breakdown voltage |
逆方向バイアスを増していった際に、ツェナー降伏やアバランシェ降伏を起こして急激に電流が流れるようになる電圧。ブレークダウン電圧とも。 |
ダイオード関連 
