| 日本語 |
英語 |
備考 |
は行
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ばいあす
バイアス |
bias |
PN 接合に外部電圧をかけること、または、かけた外部電圧をこう呼ぶ。 |
はっこうだいおーど
発光ダイオード |
Light-Emitting Diode (LED) |
LEDに同じ。 |
ばらくた
バラクタ |
varactor diode |
可変容量ダイオードに同じ。 |
ばりきゃっぷ
バリキャップ |
variable capacitance diode |
可変容量ダイオードに同じ。 |
ぴーあいえぬ（ぴん）だいおーど
PINダイオード |
PIN (p-intrinsic-n) diode |
一般的な PN 接合ダイオードの P 層と N 層の間にI層と呼ばれる電気抵抗の大きな半導体層（真性半導体）をはさんだ3層構造で、少数キャリア蓄積効果を大きくし逆回復時間を長くしたもの。高周波回路でのスイッチング用に適している。 |
ぴーえすでぃー
PSD |
PSD (Position Sensitive Detector) |
PIN 構造をしている半導体表面に光のスポットを与えると、入射した光に比例した電荷が発生する素子。光電センサなどの受光素子として使用される。 |
ぴーえぬせつごう
PN接合 |
p-n junction |
一方が P 型、もう一方が N 型になるように接合された半導体結晶において、P 型から N 型へと移行する部分をこう呼ぶ。 |
ぴーえぬせつごう（がた）だいおーど
PN接合（型）ダイオード |
p-n junction diode |
PN 接合の両端に電極をつけたダイオードをいい、P 型側がアノード、N 型側がカソード。P 側に正電圧、N 側に負電圧をかけると P 領域のホールと N 領域の電子とは互いに反対の領域に侵入し、P 側から N 側へ電流が流れる。 |
ぴーえぬだいおーど
PNダイオード |
p-n diode |
PN 接合（型）ダイオードに同じ。 |
ひかりきでんりょくこうか
光起電力効果 |
photovoltaic effect |
物質に光を照射することで起電力が発生する現象で、光電効果の一種。 |
ふぉとだいおーど
フォトダイオード |
photo diode |
PN 接合に光が入射すると、P 領域にホール、N 領域に電子が集まり電圧が生じる性質を利用したダイオードで、光の検出などに用いられる。 |
ほーる
ホール |
(electron) hole |
価電子帯の電子が不足した状態。となりの電子を取ることで、電子が取られた場所が新たにホールとなり、これを繰り返すことで、あたかも「正の電荷をもった電子」のようにふるまう。正孔とも。 |
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ら行
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れーざーだいおーど
レーザーダイオード |
laser diode |
レーザー光線を発生させるダイオード。半導体の PN 接合部に電子とホールを注入し、これらが再結合するときのバンドギャップに相当するエネルギーを光子の形で放出する。半導体の構成元素によって発振するレーザー光の波長が変わる。半導体レーザーとも。 |
ダイオード関連 
