日本語 |
英語 |
備考 |
は行
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ぱわーでばいす
パワーデバイス |
power (semiconductor) device |
電力制御用に最適化されたパワーエレクトロニクスを支える電子部品。高電圧、大電流の制御、高周波動作が可能なものが多い。 |
はんどうたい
半導体 |
semiconductor |
電気を通す「導体」と電気を通さない「絶縁体」の中間にある物質のことで、温度を上げたり、光を当てたりすることで伝導率が上がる性質を持つ。代表的なものとしてシリコン、ゲルマニウム、セレンがある。また、LSI などの集積回路など、半導体物質を利用して作られた半導体デバイスの総称でもある。 |
はんどうたいだいおーど
半導体ダイオード |
semiconductor diode |
かっての二極真空管のダイオードに変わって、PN接合型などの半導体を使ったダイオード。現在では、単にダイオードとも呼ぶ。 |
はんどうたいれーざー
半導体レーザー |
semiconductor laser |
レーザーダイオードに同じ。 |
ばんどぎゃっぷ
バンドギャップ |
band gap |
バンド構造における電子に占有された最も高いエネルギーバンド(価電子帯)の頂上から、最も低い空のバンド(伝導帯)の底までの間のエネルギー準位を指し、電子が存在することのできない領域。禁止帯、禁制帯とも。半導体素子は、このバンドギャップの性質を利用している。半導体では価電子帯の上のバンドギャップが狭く、温度などの変化で電子がギャップを飛び越えることが可能。 |
ばんどこうぞう
バンド構造 |
(electronic) band structure |
導体、半導体、絶縁体における価電子帯、伝導帯、バンドギャップの構成。 |
ぴーえぬせつごう
PN 接合 |
p-n junction |
一方がP型、もう一方がN型になるように接合された半導体結晶において、P型からN型へと移行する部分をこう呼ぶ。 |
ぴーがたはんどうたい
P 型半導体 |
p-type (positive) semiconductor |
電圧がかけられるとホール(正孔)の移動によって電荷が運ばれる半導体であり、正電荷を持つ荷電粒子であるかのようにふるまう。たとえば、シリコン(4価)の結晶に、それより価電子の少ないホウ素(3価)原子を加えることにより生成。 |
ふぇるみじゅんい
フェルミ準位 |
Fermi level |
電子のいる確率が50%になる場所のことで、電子がどこまで詰まっているかを示す。フェルミ準位がエネルギーバンドの中にあれば導体となり、バンドギャップの中にあれば絶縁体または半導体となる。 |
ふじゅんぶつ
不純物 |
dopant; doping agent |
ドーパントに同じ。 |
ふじゅんぶつはんどうたい
不純物半導体 |
extrinsic semiconductor |
電気伝導性を高めるため真性半導体に不純物を添加したもので、伝導電子とホールの数のどちらが多いか(多数キャリア)によって型が決まり、ホールが多ければ P 型半導体、電子が多ければ N 型半導体になる。 |
ほーる
ホール |
(electron) hole |
価電子帯の電子が不足した状態。となりの電子を取ることで、電子が取られた場所が新たにホールとなり、これを繰り返すことで、あたかも「正の電荷をもった電子」のようにふるまう。正孔とも。 |
ら行
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りょうし
量子 |
quantum |
粒子と波の性質を持つ特殊な存在を説明するための呼称。ある物理量にそれ以上分割できない最小の単位があり、その物理量がすべてその整数倍(とびとびの値)として表されるとき、この最小単位をその物理量の量子という。量子を研究する学問を量子力学という。 |
れいき
励起 |
excitation; excite |
原子や分子が外からエネルギーを与えられ、もとのエネルギーの低い安定した状態からエネルギーの高い状態へと移ること。 |