ビジネス英語用語集―トランジスタ関連1

トランジスタ関連 Transistor

日本語	英語	備考
あ行
あいじーびーてぃー IGBT	IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)	MOSFET をゲート部に組み込んだバイポーラトランジスタで、MOSFET とバイポーラの長所を合わせ持っている。
えぬぴーえぬがたとらんじすた NPN型トランジスタ	NPN transistor	バイポーラトランジスタの1種で、P 型半導体をN 型半導体でサンドイッチ構造にしたもの。
えぬもす NMOS	NMOS (N-channel MOSFET)	N 型 MOSFET のことで、ソースとドレインにN 型半導体、ゲート下のチャネル領域にP 型半導体を組み合わせたもの。
えみったエミッタ	emitter	バイポーラトランジスタの3つの端子の一つで、キャリアを放出する部分。
おーぷんこれくたオープンコレクタ	open collector	電圧や電流を直接信号として出力するのではなく、NPN トランジスタのどこにも接続していないコレクタ端子を出力端子として使う方式のことで、主に集積回路（IC）やセンサーなどの出力部に用いられる。
か行
げーとゲート	gate	FET の端子の一つで、電圧をかけることで電子やホールの流れを制御する。接合型、MOS 型、ショットキー型のゲート構造の種類がある。
これくたコレクタ	collector	バイポーラトランジスタの3つの端子の一つで、キャリアを受け取る部分。
これくたでんりゅうコレクタ電流	base current	バイポーラトランジスタにおいて、エミッタからコレクタに流れる電流。
さ行
さぶすとれーとサブストレート	substrate	半導体素子を製造するときに、土台となるP型あるいはN型の半導体部分（基材）のこと。
しーもす CMOS	CMOS (Complementary Metal Oxide Semiconductor)	NMOS と PMOS の両方を相補形に配置したゲート構造を持つ MOSFET。
すいっちんぐスイッチング	switching	バイポーラトランジスタにおいて、エミッタ・ベース間のわずかな電流によってエミッタ・コレクタ間のより大きな電流を制御してスイッチングを行う。
ぜつえんげーとばいぽーらとらんじすた絶縁ゲートバイポーラトランジスタ	Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT)	IGBTに同じ。
せつごうがたふぇっと接合型FET	junction FET	ゲート部分がバイポーラトランジスタと同じように、PN 接合になっており、接合面にできる空乏層によって電流を制御する。
ぞうふく増幅	amplification	バイポーラトランジスタにおいて、ベース・エミッタ間に電流を流すと、エミッタ・コレクタ間に何倍もの電流が流れる、あるいは、ベースからエミッタに流す電流をわずかに変化させるだけで、コレクタ・エミッタ間の電流が大きく変化することを利用して増幅を行う。
そーすソース	source	FETの端子の一つで、キャリアの発生源。
た行
ちゃねるチャネル	channel	FET において、半導体中でキャリアが流れ、制御される部分。半導体と同様に、N 型と P 型の2種類があり、N 型チャネルは導電に寄与するキャリアが電子、P 型はホールの場合をいう。
でんかいこうかとらんじすた電界効果トランジスタ	field effect transistor (FET)	FETに同じ。
どれいんドレイン	drain	FET の端子の一つで、キャリアが流れ出る先。

エレクトロニクス英語用語集

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